به‌گفته‌ی افشاگر چینی، تراشه‌ی نسل بعدی هواوی موسوم به کرین ۹۰۱۰ با استفاده از لیتوگرافی سه‌نانومتری تولید خواهد شد. های‌سیلیکون فقط وظیفه‌ی طراحی آن را دارد و درواقع، هواوی تولید انبوه تراشه‌ی مدنظر را به شرکت TSMC خواهد سپرد.

برنامه‌های TSMC چندی پیش در فضای مجازی قرار گرفت و در آن، اشاره شد شرکت تایوانی در نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌ها با لیتوگرافی سه‌نانومتری را آغاز می‌کند. تراشه‌هایی با لیتوگرافی سه‌نانومتری از معماری بسیار جالبی برخوردار هستند. درحقیقت، چنین تراشه‌هایی در‌مقایسه‌با مدل‌های پنج‌نانومتری فعلی می‌توانند در فضای مشخص از مدل‌های پیشین تا ۷۰ درصد از ترانزیستورهای بیشتری میزبانی کنند. 

چنین اتفاقی در حالی رقم می‌خورد که تراشه‌های پیشرفته‌ی امروزی ممکن است از بیش از ده‌میلیارد ترانزیستور برخوردار باشند. درحقیقت، تراشه‌های آینده با لیتوگرافی سه‌نانومتری از بیش از هفده‌میلیارد ترانزیستور استفاده خواهند کرد که رقمی حیرت‌آور به‌نظر می‌رسد. تحلیلگران معتقد هستند تراشه‌هایی با فرایند ساخت لیتوگرافی سه‌نانومتری در‌مقایسه‌با مدل‌های فعلی ۱۰ تا ۱۵ درصدی و در مصرف انرژی ۲۵ تا ۳۰ درصد بهتر عمل می‌کنند.

منبع: zoomit